200G QSFP-DD LR4 Optischer Transceiver HQSFPDD-2L2 LAN WDM DFB, PIN, 0~70℃

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

Produkt-Tags

Merkmale

● Hot-plug-fähiger QSFP-DD-MSA-Formfaktor
● Unterstützt aggregierte Bitraten von 212,5 Gbit/s
● Verlustleistung < 10W
● Kommerzieller Gehäusetemperaturbereich von 0 °C bis 70 °C
● Einzelne 3,3-V-Stromversorgung
● Maximale Verbindungslänge von 10 km auf Single Mode Fiber (SMF)
● Sender: Gekühlte 4 Kanäle 200G PAM4 LAN WDM DML TOSA
● Empfänger: 4 Kanäle 200G PAM4 PIN ROSA
● Elektrische Schnittstelle 200GAUI-8 (oder 200GAUI-4).
● Duplex-LC-Buchsen
● I2C-Verwaltungsschnittstelle mit DOM

200G1

Anwendungen

● IEEE 802.3bs 200GBASE-LR4 EthernetPAM4

Allgemeine Beschreibung

Hi-Optels 200GQSFP-DDDas Transceiver-Modul ist für den Einsatz in 200G-Ethernet-Schnittstellen über Singlemode-Glasfaser konzipiert. Es entspricht sowohl demQSFP-DDMSA- und 200GBASE-LR4-Spezifikation. Die zentralen Wellenlängen der 4 LAN-WDM-Kanäle sind 1295,56, 1300,05, 1304,58 und 1309,14 nm als Mitglieder des in IEEE 802.3ba definierten LAN-WDM-Wellenlängenrasters. Die leistungsstarken, gekühlten LAN-WDM-DML-TOSA-Sender und PIN-PD-Empfänger bieten überragende Leistung für 200G-Ethernet-Anwendungen mit bis zu 10 km langen Verbindungen mit FEC. Digitale Diagnosefunktionen stehen über das zur VerfügungI2CSchnittstelle, wie von angegebenQSFP-DDMSA. Dieses Produkt ist zur Unterstützung von Rechenzentrumsanwendungen vorgesehen.

Bestellinformationen

Teilenummer Beschreibung
HQSFPDD-2L2 QSFP-DD200GBASE-LR4 LWDM 10 km

Allgemeine Spezifikationen:

Parameter

Symbol

Min

Typisch

Max

Einheit

Notiz

Datenrate, alle Lanes zusammen

DR

 

 

212,50

Gbit/s

 

Datenrate, jede Spur

 

 

26.5625

 

Gbit/s

 

Genauigkeit der Datenrate

 

-100

 

100

ppm

 

Linkentfernung

D

 

 

10

km

 

Absolute Höchstbewertungen:

Für Bedingungen außerhalb des Betriebsbereichs kann die Modulleistung nicht garantiert und die Zuverlässigkeit nicht impliziert werden. Das Überschreiten der unten aufgeführten Grenzwerte kann zu einer dauerhaften Beschädigung des Transceiver-Moduls führen.

Parameter

Symbol

Min

Max

Einheit

Notiz

Lagertemperatur

TST

-40

+85

˚C

 

Betriebsgehäusetemperatur

TOP

0

+70

˚C

 

Stromversorgungsspannung

VCC

-0,5

+3,6

V

 

Empfohlene Betriebsbedingungen:

Parameter

Symbol

Min

Typisch

Max

Einheit

Notiz

Betriebsgehäusetemperatur

TOP

0

 

+70

˚C

 

Stromversorgungsspannung

VCC

3.135

3.3

3.465

V

 

Elektrische Eigenschaften:

Parameter

Symbol

Min

Typisch

Max

Einheit

Notiz

Stromversorgungsspannung

VCC

3.135

3.3

3.465

V

 

Stromversorgungsstrom

ICC

 

 

3

A

 

Stromverbrauch

P

 

 

10

W

 

Sendereigenschaften (Modulausgabe)
Differenzielle Dateneingabeschwankung

+/-TX_DAT

20

 

1200

mVS

 

Gleichtaktspannung

VCM

-350

 

2850

mV

1

Eigenschaften des Empfängers (Moduleingang)
Differenzielle Datenausgabeschwankung

+/-RX_DAT

200

 

900

mVS

 

Gleichtaktspannung

VCM

-350

 

2850

mV

1

Gleichtaktrauschen, RMS

VNO

 

 

17.5

mV

 

Hinweis: 1.Vcmwird vom Host generiert. Die Spezifikation umfasst die Auswirkungen der Erdungsoffsetspannung.

Optische Eigenschaften:

Parameter

Symbol

Min

Typisch

Max

Einheit

Notiz

Spurwellenlänge

L0

1294,53

1295,56

1296,59

nm

 

L1

1299.02

1300.05

1301.09

nm

 

L2

1303.54

1304.58

1305.63

nm

 

L3

1308.09

1309.14

1310.19

nm

 
Sendereigenschaften (pro Spur)
Signalisierungsrate, jede Spur 26,5625 GBd PAM4

 

 

26.5625

 

GBd

PAM4

Modulation

Seitenmode-Unterdrückungsverhältnis

SMSR

30

 

 

dB

 

Gesamte durchschnittliche Startleistung

PT

 

 

11.3

dBm

 

Durchschnittliche Startleistung pro Spur

PDurchschnittlich

-3.4

 

5.3

dBm

 

Aussterbeverhältnis

ER

3.5

 

 

dB

 

Outer optische ModulationAAmplitude (OMA außen), jede Spur

POMA

-0,4

 

5.1

dBm

 

Unterschied in der Abschusskraft zwischen zwei beliebigen Lanzen (OMA außen)

 

 

 

4

dB

 

Startleistung in OMAouter minus TDECQ,jede Spur

 

-1,7

 

 

dBm

 

Sender und StreuungAugenschluss für PAM4(TDECQ) auf jeder Spur

TDECQ

 

 

3.2

dB

 

Durchschnittliche Startleistung AUSSender, jede Spur Paus

 

 

-30

dBm

 

Relatives Intensitätsrauschen RIN

 

 

-132

dB/Hz

 

Toleranz der optischen Rückflussdämpfung  

 

 

15.6

dB

 

Reflexionsgrad des Senders  

 

 

-26

dB

 

Empfängereigenschaften (pro Spur)
Signalisierungsrate, jede Spur

 

 

26.5625

 

GBd

PAM4

Modulation

Variation der Signalrate auf jeder Spur

 

-100

 

+100

ppm

 

Spurwellenlängenbereich

L0

1294,53

1295,56

1296,59

nm

 

L1

1299.02

1300.05

1301.09

nm

 

L2

1303.54

1304.58

1305.63

nm

 

L3

1308.09

1309.14

1310.19

nm

 

Schadensschwelle, jede Spur

RDamm

6.3

 

 

dBm

 

Durchschnittliche Empfangsleistung pro Spur

Rpow

-9.7

 

5.3

dBm

 

Erhalten Sie Strom (OMAouter), jede Spur

ROMA

 

 

5.1

dBm

 

Unterschied in der Empfangsleistung zwischen zwei beliebigen Spuren (OMAouter)

 

 

 

4.2

dB

 

Empfängerrelevanz

 

 

 

-26

dB

 

Empfängerempfindlichkeit (OMAouter), jede Spur

SNEach

 

 

-7.7

dBm

 

Gestresster EmpfängerEmpfindlichkeit (OMAouter), jede Spur

 

 

 

-5.2

dBm

 

Bedingungen für den Empfindlichkeitstest des Empfängers unter Belastung

Gestresster Augenschluss für PAM4(SECQ), Spur im Test

 

 

 

3.2

dB

 

OMAäußere jeder Aggressor-Spur

 

 

 

-1

dBm

 

Blockdiagramm des Transceivers

200G2

Figur2. Blockdiagramm des Transceivers

Pin-Definition und Beschreibung

200G3

Abbildung 3. MSA-kompatibler Anschluss (gemäß QSFP-DD MSA)

Spezielle Erläuterung zur elektrischen Hochgeschwindigkeitsschnittstelle

Die elektrische Schnittstelle sollte entsprechenQSFP-DDMSA-Standard. Die elektrische Schnittstelle

variiert je nach Anwendung, aber die nominale Signalisierungsspurrate beträgt 26,5625 Gbit/s pro Spur und

entsprechen 200GAUI-8(oder200GAUI-4 )Spezifikationen für elektrische Schnittstellen.

Tabelle 7: Die von 200 Gbit/s unterstützte Hochgeschwindigkeits-SignaldatenrateQSFP-DD

Standard

Beschreibung

Nominale Bitrate

Einheiten

IEEE std-802.3bs

200G-Ethernet

26.5625

Gbit/s

Mechanische Spezifikationen

Dieses Produkt ist kompatibel mit demQSFP-DDSpezifikation für steckbare Formfaktormodule.

200G4

Abbildung 4. Mechanische Abmessungen (Einheit in mm)

ESD

Für diesen Transceiver ist eine elektrostatische Entladung von 500 V für Hochgeschwindigkeitsstifte und eine elektrostatische Entladung von 2 kV für alle anderen elektrischen Eingangsstifte spezifiziert, getestet gemäß JESD22-A114-B (Modell des menschlichen Körpers). Bei der Handhabung dieses Moduls sind jedoch weiterhin die üblichen ESD-Vorsichtsmaßnahmen erforderlich. Dieser Transceiver wird in einer ESD-Schutzverpackung geliefert. Es sollte aus der Verpackung genommen und nur in einer ESD-geschützten Umgebung gehandhabt werden.

Lasersicherheit

Dies ist ein Laserprodukt der Klasse 1 gemäß EN 60825-1:2014. Dieses Produkt entspricht 21 CFR 1040.10 und 1040.11 mit Ausnahme von Abweichungen gemäß Laser Notice Nr. 50 vom (24. Juni 2007).

Achtung: Die Verwendung von Bedienelementen oder Anpassungen oder die Durchführung von Verfahren, die nicht hierin angegeben sind, kann zu einer gefährlichen Strahlenexposition führen.

Revisionsverlauf

Revision Datum Beschreibung
Vorläufig 2021/1/20 Vorläufiges Datenblatt

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