● Hot-plug-fähiger QSFP-DD-MSA-Formfaktor
● Unterstützt aggregierte Bitraten von 212,5 Gbit/s
● Verlustleistung < 10W
● Kommerzieller Gehäusetemperaturbereich von 0 °C bis 70 °C
● Einzelne 3,3-V-Stromversorgung
● Maximale Verbindungslänge von 10 km auf Single Mode Fiber (SMF)
● Sender: Gekühlte 4 Kanäle 200G PAM4 LAN WDM DML TOSA
● Empfänger: 4 Kanäle 200G PAM4 PIN ROSA
● Elektrische Schnittstelle 200GAUI-8 (oder 200GAUI-4).
● Duplex-LC-Buchsen
● I2C-Verwaltungsschnittstelle mit DOM
● IEEE 802.3bs 200GBASE-LR4 Ethernet(PAM4)
Hi-Optels 200GQSFP-DDDas Transceiver-Modul ist für den Einsatz in 200G-Ethernet-Schnittstellen über Singlemode-Glasfaser konzipiert. Es entspricht sowohl demQSFP-DDMSA- und 200GBASE-LR4-Spezifikation. Die zentralen Wellenlängen der 4 LAN-WDM-Kanäle sind 1295,56, 1300,05, 1304,58 und 1309,14 nm als Mitglieder des in IEEE 802.3ba definierten LAN-WDM-Wellenlängenrasters. Die leistungsstarken, gekühlten LAN-WDM-DML-TOSA-Sender und PIN-PD-Empfänger bieten überragende Leistung für 200G-Ethernet-Anwendungen mit bis zu 10 km langen Verbindungen mit FEC. Digitale Diagnosefunktionen stehen über das zur VerfügungI2CSchnittstelle, wie von angegebenQSFP-DDMSA. Dieses Produkt ist zur Unterstützung von Rechenzentrumsanwendungen vorgesehen.
Teilenummer | Beschreibung |
HQSFPDD-2L2 | QSFP-DD200GBASE-LR4 LWDM 10 km |
Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
Datenrate, alle Lanes zusammen | DR |
|
| 212,50 | Gbit/s |
|
Datenrate, jede Spur |
|
| 26.5625 |
| Gbit/s |
|
Genauigkeit der Datenrate |
| -100 |
| 100 | ppm |
|
Linkentfernung | D |
|
| 10 | km |
Für Bedingungen außerhalb des Betriebsbereichs kann die Modulleistung nicht garantiert und die Zuverlässigkeit nicht impliziert werden. Das Überschreiten der unten aufgeführten Grenzwerte kann zu einer dauerhaften Beschädigung des Transceiver-Moduls führen.
Parameter | Symbol | Min | Max | Einheit | Notiz |
Lagertemperatur | TST | -40 | +85 | ˚C |
|
Betriebsgehäusetemperatur | TOP | 0 | +70 | ˚C |
|
Stromversorgungsspannung | VCC | -0,5 | +3,6 | V |
Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
Betriebsgehäusetemperatur | TOP | 0 |
| +70 | ˚C |
|
Stromversorgungsspannung | VCC | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V |
Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
Stromversorgungsspannung | VCC | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V |
|
Stromversorgungsstrom | ICC |
|
| 3 | A |
|
Stromverbrauch | P |
|
| 10 | W |
|
Sendereigenschaften (Modulausgabe) | ||||||
Differenzielle Dateneingabeschwankung | +/-TX_DAT | 20 |
| 1200 | mVS |
|
Gleichtaktspannung | VCM | -350 |
| 2850 | mV | 1 |
Eigenschaften des Empfängers (Moduleingang) | ||||||
Differenzielle Datenausgabeschwankung | +/-RX_DAT | 200 |
| 900 | mVS |
|
Gleichtaktspannung | VCM | -350 |
| 2850 | mV | 1 |
Gleichtaktrauschen, RMS | VNO |
|
| 17.5 | mV |
|
Hinweis: 1.Vcmwird vom Host generiert. Die Spezifikation umfasst die Auswirkungen der Erdungsoffsetspannung.
Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
Spurwellenlänge | L0 | 1294,53 | 1295,56 | 1296,59 | nm | |
L1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | ||
L2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm | ||
L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | ||
Sendereigenschaften (pro Spur) | ||||||
Signalisierungsrate, jede Spur 26,5625 GBd PAM4 |
|
| 26.5625 |
| GBd | PAM4 Modulation |
Seitenmode-Unterdrückungsverhältnis | SMSR | 30 |
|
| dB |
|
Gesamte durchschnittliche Startleistung | PT |
|
| 11.3 | dBm |
|
Durchschnittliche Startleistung pro Spur | PDurchschnittlich | -3.4 |
| 5.3 | dBm |
|
Aussterbeverhältnis | ER | 3.5 |
|
| dB |
|
Outer optische ModulationAAmplitude (OMA außen), jede Spur | POMA | -0,4 |
| 5.1 | dBm |
|
Unterschied in der Abschusskraft zwischen zwei beliebigen Lanzen (OMA außen) |
|
|
| 4 | dB |
|
Startleistung in OMAouter minus TDECQ,jede Spur |
| -1,7 |
|
| dBm |
|
Sender und StreuungAugenschluss für PAM4(TDECQ) auf jeder Spur | TDECQ |
|
| 3.2 | dB |
|
Durchschnittliche Startleistung AUSSender, jede Spur | Paus |
|
| -30 | dBm |
|
Relatives Intensitätsrauschen | RIN |
|
| -132 | dB/Hz |
|
Toleranz der optischen Rückflussdämpfung |
|
| 15.6 | dB |
| |
Reflexionsgrad des Senders |
|
| -26 | dB |
| |
Empfängereigenschaften (pro Spur) | ||||||
Signalisierungsrate, jede Spur |
|
| 26.5625 |
| GBd | PAM4 Modulation |
Variation der Signalrate auf jeder Spur |
| -100 |
| +100 | ppm |
|
Spurwellenlängenbereich | L0 | 1294,53 | 1295,56 | 1296,59 | nm |
|
L1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm |
| |
L2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm |
| |
L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm |
| |
Schadensschwelle, jede Spur | RDamm | 6.3 |
|
| dBm |
|
Durchschnittliche Empfangsleistung pro Spur | Rpow | -9.7 |
| 5.3 | dBm |
|
Erhalten Sie Strom (OMAouter), jede Spur | ROMA |
|
| 5.1 | dBm |
|
Unterschied in der Empfangsleistung zwischen zwei beliebigen Spuren (OMAouter) |
|
|
| 4.2 | dB |
|
Empfängerrelevanz |
|
|
| -26 | dB |
|
Empfängerempfindlichkeit (OMAouter), jede Spur | SNEach |
|
| -7.7 | dBm |
|
Gestresster EmpfängerEmpfindlichkeit (OMAouter), jede Spur |
|
|
| -5.2 | dBm |
|
Bedingungen für den Empfindlichkeitstest des Empfängers unter Belastung | ||||||
Gestresster Augenschluss für PAM4(SECQ), Spur im Test |
|
|
| 3.2 | dB |
|
OMAäußere jeder Aggressor-Spur |
|
|
| -1 | dBm |
Die elektrische Schnittstelle sollte entsprechenQSFP-DDMSA-Standard. Die elektrische Schnittstelle
variiert je nach Anwendung, aber die nominale Signalisierungsspurrate beträgt 26,5625 Gbit/s pro Spur und
entsprechen 200GAUI-8(oder200GAUI-4 )Spezifikationen für elektrische Schnittstellen.
Tabelle 7: Die von 200 Gbit/s unterstützte Hochgeschwindigkeits-SignaldatenrateQSFP-DD
Standard | Beschreibung | Nominale Bitrate | Einheiten |
IEEE std-802.3bs | 200G-Ethernet | 26.5625 | Gbit/s |
Dieses Produkt ist kompatibel mit demQSFP-DDSpezifikation für steckbare Formfaktormodule.
Abbildung 4. Mechanische Abmessungen (Einheit in mm)
Für diesen Transceiver ist eine elektrostatische Entladung von 500 V für Hochgeschwindigkeitsstifte und eine elektrostatische Entladung von 2 kV für alle anderen elektrischen Eingangsstifte spezifiziert, getestet gemäß JESD22-A114-B (Modell des menschlichen Körpers). Bei der Handhabung dieses Moduls sind jedoch weiterhin die üblichen ESD-Vorsichtsmaßnahmen erforderlich. Dieser Transceiver wird in einer ESD-Schutzverpackung geliefert. Es sollte aus der Verpackung genommen und nur in einer ESD-geschützten Umgebung gehandhabt werden.
Dies ist ein Laserprodukt der Klasse 1 gemäß EN 60825-1:2014. Dieses Produkt entspricht 21 CFR 1040.10 und 1040.11 mit Ausnahme von Abweichungen gemäß Laser Notice Nr. 50 vom (24. Juni 2007).
Achtung: Die Verwendung von Bedienelementen oder Anpassungen oder die Durchführung von Verfahren, die nicht hierin angegeben sind, kann zu einer gefährlichen Strahlenexposition führen.
Revision | Datum | Beschreibung |
Vorläufig | 2021/1/20 | Vorläufiges Datenblatt |