200G QSFP-DD LR4 optischer Transceiver HQSFPDD-2L2 LAN WDM DFB, PIN, 0~70℃
Merkmale
● Hot-Plug-fähiger QSFP-DD-MSA-Formfaktor
● Unterstützt aggregierte Bitraten von 212,5 Gbit/s
● Verlustleistung
● Kommerzieller Gehäusetemperaturbereich von 0 °C bis 70 °C
● Einzelnes 3,3-V-Netzteil
● Maximale Verbindungslänge von 10 km über Singlemode-Glasfaser (SMF)
● Sender: Gekühlt, 4 Kanäle, 200G PAM4 LAN WDM DML TOSA
● Empfänger: 4 Kanäle 200G PAM4 PIN ROSA
● Elektrische Schnittstelle 200GAUI-8 (oder 200GAUI-4)
● Doppel-LC-Buchsen
● I2C-Managementschnittstelle mit DOM
Anwendungen
● IEEE 802.3bs 200GBASE-LR4 Ethernet (PAM4)
Allgemeine Beschreibung
Hi-Optels 200G QSFP-DDDas Transceiver-Modul ist für den Einsatz in 200G-Ethernet-Schnittstellen über Singlemode-Glasfaser konzipiert. Es ist kompatibel mit beiden Standards. QSFP-DDMSA- und 200GBASE-LR4-Spezifikation. Die zentralen Wellenlängen der vier LAN-WDM-Kanäle sind 1295,56 nm, 1300,05 nm, 1304,58 nm und 1309,14 nm und entsprechen dem in IEEE 802.3ba definierten LAN-WDM-Wellenlängenraster. Die leistungsstarken, gekühlten LAN-WDM-DML-TOSA-Sender und PIN-PD-Empfänger bieten überragende Leistung für 200G-Ethernet-Anwendungen mit FEC und Strecken bis zu 10 km. Digitale Diagnosefunktionen sind über die I2CSchnittstelle, wie spezifiziert durch QSFP-DDMSA. Dieses Produkt ist für die Anwendung in Rechenzentren vorgesehen.
Bestellinformationen
| Teilenummer | Beschreibung |
| HQSFPDD-2L2 | QSFP-DD200GBASE-LR4 LWDM 10 km |
Allgemeine Spezifikationen:
| Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
| Datenrate, alle Lanes zusammen | DR |
|
| 212,50 | Gb/s |
|
| Datenrate, pro Spur |
|
| 26,5625 |
| Gb/s |
|
| Genauigkeit der Datenrate |
| -100 |
| 100 | ppm |
|
| Linkdistanz | D |
|
| 10 | km |
Absolute Höchstwertungen:
Die Leistungsfähigkeit des Moduls kann nicht garantiert werden, und die Zuverlässigkeit wird für Bedingungen außerhalb des Betriebsbereichs nicht zugesichert. Das Überschreiten der unten genannten Grenzwerte kann das Transceiver-Modul dauerhaft beschädigen.
| Parameter | Symbol | Min | Max | Einheit | Notiz |
| Lagertemperatur | TST | -40 | +85 | ˚C |
|
| Betriebstemperatur des Gehäuses | TAN | 0 | +70 | ˚C |
|
| Versorgungsspannung | InCC | -0,5 | +3,6 | In |
Empfohlene Betriebsbedingungen:
| Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
| Betriebstemperatur des Gehäuses | TAN | 0 |
| +70 | ˚C |
|
| Versorgungsspannung | InCC | 3.135 | 3.3 | 3,465 | In |
Elektrische Eigenschaften:
| Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
| Versorgungsspannung | InCC | 3.135 | 3.3 | 3,465 | In |
|
| Stromversorgung | ICHCC |
|
| 3 | A |
|
| Stromverbrauch | P |
|
| 10 | IN |
|
| Sendereigenschaften (Modulausgabe) | ||||||
| Differenzieller Dateneingangsschwingung | +/-TX_DAT | 20 |
| 1200 | mVS. |
|
| Gleichtaktspannung | InCM | -350 |
| 2850 | mV | 1 |
| Empfängercharakteristika (Modul-Eingabe) | ||||||
| Differenzielle Datenausgangsschwingung | +/-RX_DAT | 200 |
| 900 | mVS. |
|
| Gleichtaktspannung | InCM | -350 |
| 2850 | mV | 1 |
| Gleichtaktrauschen, Effektivwert | InNEIN |
|
| 17,5 | mV |
|
Hinweis: 1. Incmwird vom Host erzeugt. Die Spezifikation umfasst die Auswirkungen der Masse-Offset-Spannung.
Optische Eigenschaften:
| Parameter | Symbol | Min | Typisch | Max | Einheit | Notiz |
| Spurwellenlänge | L0 | 1294,53 | 1295,56 | 1296,59 | nm | |
| L1 | 1299,02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | ||
| L2 | 1303,54 | 1304,58 | 1305,63 | nm | ||
| L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | ||
| Sendercharakteristika (pro Fahrspur) | ||||||
| Signalrate, pro Fahrspur 26,5625 GBd PAM4 |
|
| 26,5625 |
| GBd | PAM4 Modulation |
| Seitenmodus-Unterdrückungsverhältnis | SMSR | 30 |
|
| dB |
|
| Durchschnittliche Gesamtstartleistung | PT |
|
| 11.3 | dBm |
|
| Durchschnittliche Startleistung pro Bahn | PDurchschnitt | -3.4 |
| 5.3 | dBm |
|
| Aussterbeverhältnis | IST | 3,5 |
|
| dB |
|
| DERUterus-optische ModulationAAmplitude (OMA außen), jede Spur | PEIGEN | -0,4 |
| 5.1 | dBm |
|
| Unterschied in der Startleistung zwischen zwei beliebigen Lanzen (OMA außen) |
|
|
| 4 | DB |
|
| Startleistung in OMAouter minus TDECQjede Spur |
| -1,7 |
|
| DBm |
|
| Sender und DispersionAugenschluss für PAM4(TDECQ) jede Spur | TDECQ |
|
| 3.2 | dB |
|
| Durchschnittliche Startleistung AUSSender, jede Spur | Paus |
|
| -30 | dBm |
|
| Rauschen der relativen Intensität | AUCH |
|
| -132 | dB/HZ |
|
| Toleranz gegenüber optischem Rückfluss |
|
| 15.6 | dB |
| |
| Senderreflexion |
|
| -26 | DB |
| |
| Empfängercharakteristika (pro Spur) | ||||||
| Signalrate, pro Fahrspur |
|
| 26,5625 |
| GBd | PAM4 Modulation |
| Variation der Signalrate, jede Fahrspur |
| -100 |
| +100 | ppm |
|
| Wellenlängenbereich der Fahrspur | L0 | 1294,53 | 1295,56 | 1296,59 | nm |
|
| L1 | 1299,02 | 1300.05 | 1301.09 | nm |
| |
| L2 | 1303,54 | 1304,58 | 1305,63 | nm |
| |
| L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm |
| |
| Schadensschwelle, jede Fahrspur | RDamm | 6.3 |
|
| DBm |
|
| Durchschnittliche Empfangsleistung pro Spur | Rpow | -9.7 |
| 5.3 | DBm |
|
| Empfangsleistung (OMAouter), jede Spur | ROM |
|
| 5.1 | dBm |
|
| Differenz der Empfangsleistung zwischen zwei beliebigen Lanes (OMAouter) |
|
|
| 4.2 | DB |
|
| Empfängerreflexion |
|
|
| -26 | DB |
|
| Empfängerempfindlichkeit (OMAouter), jede Spur | SENeach |
|
| -7,7 | DBm |
|
| Gestresster EmpfängerEmpfindlichkeit (OMAouter), jede Spur |
|
|
| -5.2 | DBm |
|
| Bedingungen des Tests der Empfindlichkeit des belasteten Empfängers | ||||||
| Angespannter Lidschluss für PAM4(SECQ), Testspur |
|
|
| 3.2 | DB |
|
| EIGENäußere jeder Angreiferspur |
|
|
| -1 | DBm | |
Transceiver-Blockdiagramm
Figur 2Transceiver-Blockdiagramm
Pin-Definition und Beschreibung
Abbildung 3. MSA-konformer Stecker (pro QSFP-DD MSA)
Spezielle Erläuterung zur elektrischen Hochgeschwindigkeitsschnittstelle
Die elektrische Schnittstelle sollte den folgenden Anforderungen entsprechen: QSFP-DDMSA-Standard. Die elektrische Schnittstelle
variiert je nach Anwendung, aber die nominale Signalspurrate beträgt 26,5625 Gbit/s pro Spur und
Einhaltung von 200GAUI-8(oder 200GAUI-4 )Spezifikationen der elektrischen Schnittstelle.
Tabelle 7 Die von 200 Gbit/s unterstützte Hochgeschwindigkeits-Signaldatenrate QSFP-DD
| Standard | Beschreibung | Nominale Bitrate | Einheiten |
| IEEE std-802.3bs | 200G Ethernet | 26,5625 | Gbit/s |
Mechanische Spezifikationen
Dieses Produkt ist kompatibel mit QSFP-DDSpezifikation für steckbare Formfaktormodule.
Abbildung 4. Mechanische Abmessungen (Einheit in mm)
ESD
Dieser Transceiver ist gemäß JESD22-A114-B (Human Body Model) für eine elektrostatische Entladung (ESD) von 500 V für Hochgeschwindigkeitsanschlüsse und 2 kV für alle anderen elektrischen Eingangsanschlüsse spezifiziert. Dennoch sind beim Umgang mit diesem Modul die üblichen ESD-Schutzmaßnahmen zu beachten. Der Transceiver wird in einer ESD-geschützten Verpackung geliefert. Er darf nur in einer ESD-geschützten Umgebung aus der Verpackung entnommen und gehandhabt werden.
Lasersicherheit
Es handelt sich um ein Laserprodukt der Klasse 1 gemäß EN 60825-1:2014. Dieses Produkt entspricht 21 CFR 1040.10 und 1040.11, mit Ausnahme der Abweichungen gemäß Laser Notice Nr. 50 vom 24. Juni 2007.
Achtung: Die Verwendung anderer als der hier beschriebenen Steuerungselemente, Einstellungen oder Verfahren kann zu gefährlicher Strahlenbelastung führen.
Revisionshistorie
| Revision | Datum | Beschreibung |
| Vorläufig | 2021/1/20 | Vorläufiges Datenblatt |